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5月26日，深科技（000021）发布公告，披露全资子公司深圳沛顿及控股子公司合肥沛顿存储拟实施高端存储芯片封测产能扩充项目，总投资达14.7亿元，聚焦高端存储芯片封装与测试领域，以满足市场增长需求、突破产能瓶颈。项目已获董事会全票通过，无需提交股东会审议。

本次扩产项目由深科技旗下两家核心半导体封测子公司分别推进。其中，深圳沛顿为深科技全资子公司，成立于2004年，主营DRAM、NAND FLASH等高端存储芯片封装与测试服务；合肥沛顿存储为控股子公司，深科技持股55.88%，国家集成电路产业投资基金二期为重要股东，主营半导体器件及晶圆封装测试业务。

公告显示，深圳沛顿产能扩充项目总投资6.4亿元，建设地点位于深圳市福田区现有厂区内，无需新增用地。项目包含1200平方米厂区改造、动力设施配套，新增封测设备约185台（套），计划2027年6月建成投产。资金来源方面，4亿元为自筹资金，2.4亿元申请银行长期贷款，项目税前投资回收期为8.63年。达产后，深圳沛顿每月将新增封装产能500万颗晶粒、测试产能800万颗芯片。

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合肥沛顿存储封测产能扩大项目总投资8.3亿元，选址于合肥经开区现有厂房，建设内容涵盖12000平方米厂房装修及新增封测设备约325台（套），计划2027年12月建成。资金来源为1.66亿元自筹资金及6.64亿元银行长期贷款，项目税前投资回收期8.84年。投产后，合肥沛顿存储每月新增封装产能2880万颗晶粒，大幅提升高端存储芯片封装供给能力。

本次扩产并非深科技首次加码半导体封测业务。2025年11月，公司已批准深圳沛顿投资2.6亿元、合肥沛顿存储投资4.8亿元的首轮扩产计划，分别新增存储芯片测试与封装产能。本次追加投资后，公司高端存储芯片封测产能将实现显著跃升，进一步深化与战略客户合作，增强客户黏性。

从业务影响来看，本次扩产属于深科技主营业务范畴，将进一步扩大生产规模、丰富产品结构，与现有主业形成协同效应，提升高端封测领域核心竞争力与市场份额。

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